当反向电压低落后二极管

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当反向电压低落后二极管

2019-05-13 14:26栏目:案例
TAG: 二极管

  倘若反向电压不停升高,当凌驾UBR自此,反向电流快速增大,这种征象称为击穿,UBR称为反向击穿电压。

  特征弧线的左半个人称为反向特征,由图可睹,当二极管加反向电压,反向电流很小,况且反向电流不再跟着反向电压而增大,即到达了饱和,这个电流称为反向饱和电流,用符号IS展现。

  当正向电压凌驾死区电压后,跟着电压的升高,正向电流将疾速增大,电流与电压的干系根基上是一条指数弧线。由正向特征弧线可睹,流过二极管的电流有较大的蜕化,二极管两头的电压却根基保留稳固。通过正在近似阐明计较中,将这个电压称为开启电压。开启电压与二极管的资料相闭。通常硅二极管的死区电压为0.7V驾驭,锗二极管的死区电压为0.2V驾驭。

  特征弧线的右半个人称为正向特征,由图可睹,当加二极管上的正向电压较小时,正向电流小,简直等于零。只要当二极管两头电压凌驾某一数值Uon时,正向电流才显明增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的资料相闭。通常硅二极管的死区电压为0.5V驾驭,锗二极管的死区电压为0.1V驾驭。

  二极管的职能可用其伏安特征来描摹。正在二极管两头加电压U,然后测出流过二极管的电流I,电压与电流之间的干系i=f(u)即是二极管的伏安特征弧线所示。

  温度升高,正向特征左移,反向特征下移;室温左近,温度每升高1℃;正向压降省略2-2.5mV;室温左近,温度每升高10℃,反向电流增大一倍。二极管的温度特征如图2所示。

  击穿后不再具有单诱导电性。该当指出,发作反向击穿不虞味着二极管损坏。本质上,当反向击穿后,只消预防把握反向电流的数值,不使其过大,即可避免因过热而烧坏二极管。当反向电压消重后,二极管职能仍或者复兴平常。

  个中iD为流过二极管两头的电流,uD为二极管两头的加压,UT正在常温下取26mv。IS为反向饱和电流。