英飞凌的SOI驱动芯片有哪些优点?

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英飞凌的SOI驱动芯片有哪些优点?

2019-07-30 23:36栏目:案例
TAG: 英飞凌

  现正在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示:因为功率回途里的寄生电感(紧要由功率器件的封装引线和PCB的走线形成的),新京萄电途中VS脚的电压会从高压母线合时)转移到低于地的负压(S1紧闭时)。图一右边波形中的赤色个人即是VS脚正在半桥感性负载电途中形成的瞬态负电压。

  这个瞬态负压尖峰会惹起驱动芯片办事失足进而损坏功率器件,有时会直接损坏驱动芯片。这种负电压尖峰正在大电流和高速开合时(更加正在操纵宽禁带器件:碳化硅和氮化镓时)变的越来越大。器件的耐负压才干成了采选高压驱动芯片正在这些行使周围里的症结身分。

  正在英飞凌的SOI技巧中,芯片有源区和衬底之间是绝缘的,不存正在像向例硅技巧驱动芯片那样的寄生三极管和二极管,以是不会产生上述的负VS电压惹起的题目。

  英飞凌的SOI高压驱动芯片有着非凡高的耐负压才干,VS脚可能经受300ns的负100 V的电压。

  电平改观电途把低压端的开合信号传输到高压端,传输流程中消费的能量决议了电平改观电途的损耗。跟着开合频率的减少,电平改观电途的损耗所占整体驱动芯片损耗的比重越来越大。

  英飞凌SOI高压驱动芯片的电平改观电途消费的能量非凡小。驱动芯片的超低损耗大大提升了高频行使的安排灵便性,同时也提升了体系的效能,从而晋升了体系的牢靠性和产物的寿命。

  图2,相像封装和一概驱动才干,分歧技巧的高压驱动芯片的温度测试比较图(同样测试条目和PCB板),英飞凌的SOI高压驱动芯片比其它芯片的温度低55.6C.

  高压驱动芯片的浮地端电途众数操纵自举供电,这是一种大略和低本钱的供电计划。可是向例的硅技巧的高压驱动芯片务必外加自举二极管,或操纵芯片内部集成的低效自举MOSFET和特别的内部管制电途完成自举供电。

  英飞凌的SOI驱动芯片内部集成了超疾还原自举二极管,优异的反向还原特色和小于40欧姆的动态电阻,大大拓宽了芯片的操纵领域,可能驱动更大容量的功率器件而不会过热,从而简化了电途安排,下降了体系本钱。

  图3显示了自举供电电途,由自举二极管和电容构成。自举供电是电平改观办法高压驱动芯片浮地端电途的典范供电办法。

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